基于Geant 4程序模拟质子打薄靶能量和角度歧离
张慧1 , 王振超1 , 关世荣1 , 梅雪松1 , 李欣2
1. 黑龙江省科学院技术物理研究所, 黑龙江哈尔滨 150086;
Geant4-based Simulation of the Energy and Angle Straggling of Proton on Thin Films
ZHANG Hui1 , WANG Zhen-chao1 , GUAN Shi-rong1 , MEI Xue-song1 , LI-Xin2
1. Technical Physics Institute of Heilongjiang Academy of Science, Harbin 150086 China;
摘要 目的 讨论能量歧离和角度歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系。方法 利用Monte Carlo模拟软件Geant4,模拟100 keV~10 MeV质子垂直入射铍(Be)、碳(C)、水(H2 O)、铝(Al)、铜(Cu)薄膜后的能量歧离值和角度歧离值。结果 得到能量歧离和角度歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系。结论 能量歧离主要发生在入射质子100 keV~200 keV能量范围内,当薄膜厚度越大且薄膜材料原子序数越高时,能量歧离和角度歧离越大;当入射质子能量越大时,能量歧离和角度歧离越小。
关键词 ：
Geant4模拟 ,
质子 ,
能量歧离 ,
角度歧离 ,
薄膜
收稿日期: 2014-06-18
基金资助: 黑龙江省科学院青年创新基金项目(CX12C03)
作者简介 : 张慧(1982-),男,内蒙古集宁人,硕士,助理研究员,从事辐射剂量工作。
引用本文:
张慧, 王振超, 关世荣, 梅雪松, 李欣. 基于Geant 4程序模拟质子打薄靶能量和角度歧离[J]. 中国辐射卫生, 2014, 23(4): 297-298,302.
链接本文:
http://www.zgfsws.com/CN/10.13491/j.cnki.issn.1004-714x.2014.04.003 或 http://www.zgfsws.com/CN/Y2014/V23/I4/297
